Samsung SSD 990 EVO NVME M.2 PCIe 4.0 x4 1 a
- SSD Samsung NVME alimentado por un controlador interno recientemente diseñado
- Velocidad de lectura/escritura secuencial de hasta 7,450/6 900 MB/s
- Control térmico confiable y eficiente en energía SSD
El último SSD
Llegue a los límites de PCIe® 4.0* Mantener un rendimiento a largo plazo que le permite dominar a sus oponentes. El controlador Samsung hecho de gestión de calor inteligente ofrece una optimización de la potencia mientras mantiene velocidades y rendimiento feroces, para mantenerte siempre en la cima de tu juego.
Máxima velocidad PCIe 4.0
Gigantesco ganancia de velocidad. Las velocidades de lectura/escritura aleatoria son 40% y 50% más rápidas que el 980 Pro - hasta 1400K/1650K IOPS, mientras que la velocidad de lectura/escritura secuencial es 7450/6900 MB/s que alcanza casi el rendimiento máximo de PCIE® 4.0. Esté en la cima, ya sea para la edición de juegos, video y 3D, análisis de datos y mucho más.
Gestión de energía revolucionaria
Mejor rendimiento de gestión de la energía. El aumento en el rendimiento generalmente consume más energía. Sin embargo, el 990 Pro utiliza menos energía con más del 50% de su rendimiento mejorado por vatios en comparación con el 980 Pro. Este muy poco diseño libre de energía hace que el rendimiento máximo del PCIe® 4.0 alcance con una gestión de energía óptima.
Solución térmica inteligente
Evacuar el calor. El final del disipador evita el sobrecalentamiento y las caídas de rendimiento. Obtenga un control de calor estable y un ruido mínimo del ventilador para jugar sus juegos más pesados. La caja fina es compatible con PlayStation® 5 y PC que se encuentran con el estándar PCI-SIG® D8.
Creador campeón
La mejor experiencia de juego. El diseño futurista del disipador de calor con sus luces RGB agrega un estilo incomparable al control de calor.
Software de mago de Samsung
Libere toda la potencia del 990 Pro. La simplicidad de usar el software Magician Samsung y sus herramientas de optimización le permite aprovechar siempre el mejor rendimiento de su SSD. Proteja sus datos importantes, monitoree la condición del disco y configure las combinaciones de colores LED. Su caja de herramientas para su SSD.
El mundo n ° 1 de la memoria flash
Aprovechando una vida útil y un mayor rendimiento que solo la primera marca de memoria flash en el mundo desde 2003 puede ofrecerle. Todos los firmwares y componentes, incluido el Samsung Dram y Nand World Famous, se fabrican en nuestras fábricas y, por lo tanto, nos permiten garantizar una calidad impecable.
| General | |
| Tipo de dispositivo: | Disco SSD - interno |
| Usar | Consolas de PC y juegos |
| Almacenamiento de memoria | Samsung V-Nand TLC |
| Capacidad: | 1 a |
| Lectura secuencial | Hasta 7.450 MB/s |
| Escritura secuencial | Hasta 6.900 MB/s |
| Cifrado de material: | Sí |
| Algoritmo de cifrado: | AES 25AES Cifrado de 256 bits (Clase 0) TCG/OPAL IEEE1667 (unidad cifrada) Cifrado de 6 bits (Clase 0) TCG/OPAL IEEE1667 (unidad cifrada) |
| Formato: | M.2 2280 |
| Interfaz: | PCIE GEN 4.0 X4, NVME 2.0 |
| Tamaño de la memoria del tampón: | Samsung 1GB baja potencia DDR4 SDRAM |
| Características: | Soporte de TRIM, modo de espera, colección de algoritmo de tarea de auto, tecnología de turbowrite, cache DDR4 SDRAM de baja potencia, NVM Express (NVME) 1.3C, Tecnología Samsung V-Nand 3bit MLC, Samsung Elpis Controller, S.M.A.R.T. |
| Actuación | |
| Escritura aleatoria 4 KB máximo: | Hasta 1,550,000 IOPS |
| Lectura aleatoria máxima 4 KB: | Hasta 1,400,000 IOPS |
| Fiabilidad | |
| Fiabilidad de MTBF: | 1,500,000 horas |
| Alimento | |
| El consumo de energía: | 6.1 vatios (promedio) 8.5 vatios (modo de ráfaga) 0.055 vatios (inactivo) |
